Samsung Solid State Drive »MZ-N5E500BW 500 GB«
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  • Kapazität: 500 GB
  • Geschwindigkeit: Lesen: 540 MB/s, Schreiben: 500 MB/s
  • IOPS: Lesen: 97000, Schreiben: 89000
  • Bauform: Steckkarte
  • Anschluss: 1x M.2

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Artikel-Nr.: 06600188

Solid State Drive MZ-N5E500BW 500 GB

Die Samsung 850 EVO erzielt auf Notebooks längere Akkulaufzeiten dank des für 3D V-NAND optimierten SSD-Controllers, der Device Sleep (DEVSLP) unterstützt. Hierbei benötigt die MZ-N5E500BW 50 mW an Leistung im Leerlauf. Die 850 EVO spart außerdem bei Schreibzugriffen etwa 25 % Energie im Vergleich zur 840 EVO, da 3D V-NAND nur etwa halb so viel Energie wie planares 2D NAND benötigt.

Grundpreisberechnung - Test: 500.0
Produkttyp: Solid State Drive
Hersteller: Samsung
Marke: Samsung
Modellbezeichnung: MZ-N5E500BW
Serie: 850 EVO
Bauform: Steckkarte
Kapazität: 500 GB
MTBF: 1.500.000 h
Abmessungen: 2,2 x 8 x 0,2 cm
Anschluss - M.2: 1
Energieverbrauch - Betrieb: 3,5 W
Energieverbrauch - Ruhe: 0,05 W
Hersteller-Artikelnummer: MZ-N5E500BW
Hinweis: S.M.A.R.T-Unterstützung, Garbage Collection, WWN-Unterstützung, AES 256 Bit Verschlüsselung, TurboWrite-Technologie, Interface: SATA 6Gb/s; Cache: Low Power DDR3 SDRAM
Laufwerk Allgemein - Cache: 512 MB
Transferrate - Lesen: 540 MB/s
Transferrate - Schreiben: 500 MB/s
Anschluss - M.2-Modul Key: B + M
Beschreibung - Serie: 850 EVO
Gewicht: 7 g
Laufwerk Allgemein - Internes Interface: SATA
SSD Allgemein - Chiptyp: TLC
SSD Allgemein - Controller: Samsung MGX
SSD Allgemein - IOPS (Lesen): 97000
SSD Allgemein - IOPS (Schreiben): 89000
SSD Allgemein - Trim: Ja
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