G.Skill Arbeitsspeicher »DIMM 8GB DDR4-3200 Kit«
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Farbe: Keine Farbangabe
  • Kapazität: 8 GB
  • Timings: CL16 18-18-38
  • Module: 2 Stück
  • Standard: DDR4-3200 (PC4-25600)
  • Spannung: 1,35 Volt

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  • Kapazität: 8 GB
  • Timings: CL16 18-18-38
  • Module: 2 Stück
  • Standard: DDR4-3200 (PC4-25600)
  • Spannung: 1,35 Volt

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Artikel-Nr.: 6971623682

Arbeitsspeicher DIMM 8GB DDR4-3200 Kit

Das G.Skill F4-3200C16D-8GTZB ist ein Dual-Channel-Kit aus zwei 4-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Trident Z Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 8 GB. Die Module unterstützen Timings von 16-18-18-38 bei 3200 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Die Trident Z Serie wurde speziell für die sechste Generation der Intel® Core(TM) Prozessoren und Boards mit dem Z170-Chipsatz entwickelt. Die Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.

Gewicht in kg: 0,225
Produkttyp: Arbeitsspeicher
Hersteller: G.Skill
Marke: G.Skill
Modellbezeichnung: F4-3200C16D-8GTZB
Serie: Trident Z
Bauform: DIMM
Kapazität: 8.192 MB
Typ: SDRAM-DDR4
Anschluss: 288-Pin
Spannung: 1,35 V
Standard: DDR4-3200 (PC4-25600)
Hersteller-Artikelnummer: F4-3200C16D-8GTZB
Weitere Infos: DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Beschreibung - Serie: Trident Z
Speicher Allgemein - Anzahl Module: 2
Speicher Allgemein - Physikalischer Takt: 1.600 MHz
Speicher Allgemein - Speicherspannung bis: 1,35 V
Speicher Allgemein - Speicherspannung von: 1,35 V
Speicher Features - XMP: Ja
Speicher Features - XMP-Version: 2.0
Speicher Timing - tCL (CAS Latency): 16.0
Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time): 38.0
Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay): 18
Speicher Timing - tRP (RAS Precharge Time): 18
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