G.Skill Arbeitsspeicher »DIMM 32 GB DDR4-3200 Quad-Kit«
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  • Kapazität: 32 GB
  • Timings: CL15 15-15-35
  • Module: 4 Stück
  • Standard: DDR4-3200 (PC4-25600)
  • Spannung: 1,35 Volt

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Artikel-Nr.: 7714774476

Arbeitsspeicher DIMM 32 GB DDR4-3200 Quad-Kit

Das G.Skill F4-3200C15Q-32GVR ist ein Quad-Channel-Kit aus vier 8-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Ripjaws V Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die Module sind auf Latenzen von 15-15-15-35 bei 3200 MHz programmiert und besitzen vergoldete Kontakte. Die Quad-Channel DDR4 Module aus der Ripjaws V Serie wurden für maximale Kompatibilität und Performance mit der sechsten Generation der Intel-Prozessoren und dem Z170 Chipsatz entwickelt. Die Ripjaws V sind in fünf verschiedenen Farben erhältlich und dank der Bauhöhe von 42mm mit einer Vielzahl von CPU-Kühlern nutzbar. Die aktuelle Version 2.0 von Intels Memory Profile XMP wird unterstützt.

Gewicht in kg: 0,22
Produkttyp: Arbeitsspeicher
Hersteller: G.Skill
Marke: G.Skill
Modellbezeichnung: F4-3200C15Q-32GVR
Serie: Ripjaws V
Bauform: DIMM
Kapazität: 32.768 MB
Typ: SDRAM-DDR4
Anschluss: 288-Pin
Spannung: 1,35 V
Standard: DDR4-3200 (PC4-25600)
Hersteller-Artikelnummer: F4-3200C15Q-32GVR
Weitere Infos: DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Beschreibung - Serie: Ripjaws V
Speicher Allgemein - Anzahl Module: 4
Speicher Allgemein - Physikalischer Takt: 1.600 MHz
Speicher Allgemein - Speicherspannung bis: 1,35 V
Speicher Allgemein - Speicherspannung von: 1,2 V
Speicher Features - EPP: Ja
Speicher Features - XMP: Ja
Speicher Features - XMP-Version: 2.0
Speicher Timing - tCL (CAS Latency): 15.0
Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time): 35.0
Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay): 15
Speicher Timing - tRP (RAS Precharge Time): 15
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