- Kapazität: 4 GB
- Timings: CL11 11-11-28
- Module: 1 Stück
- Standard: DDR3-1600 (PC3-12800)
- Spannung: 1,35 Volt
Artikeldetails
Bewertungen
(4)Arbeitsspeicher DIMM 4GB DDR3L-1600
Das Corsair CMV4GX3M1C1600C11 ist ein 4-GB-DDR3L-1600-Speichermodul (PC3-12800), CL11) der Value-Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 4 GB. Das Modul unterstützt Latenzen von 11-11-11-28 bei 1600 MHz und benötigt 1,35 V Spannung.
Gewicht in kg: 0,03
Produkttyp: Arbeitsspeicher
Hersteller: Corsair ValueSelect
Marke: Corsair ValueSelect
Modellbezeichnung: CMV4GX3M1C1600C11
Serie: ValueSelect
Bauform: DIMM
Kapazität: 4.096 MB
Typ: SDRAM-DDR3
Anschluss: 240-Pin
Spannung: 1,35 V
Standard: DDR3-1600 (PC3-12800)
Hersteller-Artikelnummer: CMV4GX3M1C1600C11
Beschreibung - Serie: ValueSelect
Speicher Allgemein - Anzahl Module: 1
Speicher Allgemein - Physikalischer Takt: 800 MHz
Speicher Allgemein - Speicherspannung bis: 1,35 V
Speicher Allgemein - Speicherspannung von: 1,35 V
Speicher Features - Low-Voltage: Ja
Speicher Timing - tCL (CAS Latency): 11.0
Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time): 28.0
Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay): 11
Speicher Timing - tRP (RAS Precharge Time): 11
Das Corsair CMV4GX3M1C1600C11 ist ein 4-GB-DDR3L-1600-Speichermodul (PC3-12800), CL11) der Value-Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 4 GB. Das Modul unterstützt Latenzen von 11-11-11-28 bei 1600 MHz und benötigt 1,35 V Spannung.
Gewicht in kg: 0,03
Produkttyp: Arbeitsspeicher
Hersteller: Corsair ValueSelect
Marke: Corsair ValueSelect
Modellbezeichnung: CMV4GX3M1C1600C11
Serie: ValueSelect
Bauform: DIMM
Kapazität: 4.096 MB
Typ: SDRAM-DDR3
Anschluss: 240-Pin
Spannung: 1,35 V
Standard: DDR3-1600 (PC3-12800)
Hersteller-Artikelnummer: CMV4GX3M1C1600C11
Beschreibung - Serie: ValueSelect
Speicher Allgemein - Anzahl Module: 1
Speicher Allgemein - Physikalischer Takt: 800 MHz
Speicher Allgemein - Speicherspannung bis: 1,35 V
Speicher Allgemein - Speicherspannung von: 1,35 V
Speicher Features - Low-Voltage: Ja
Speicher Timing - tCL (CAS Latency): 11.0
Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time): 28.0
Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay): 11
Speicher Timing - tRP (RAS Precharge Time): 11
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