Corsair Arbeitsspeicher »DIMM 64 GB DDR4-3333 Quad-Kit«
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Farbe: Keine Farbangabe
  • Kapazität: 64 GB
  • Timings: CL16 18-18-36
  • Module: 4 Stück
  • Standard: DDR4-3333 (PC4-26600)
  • Spannung: 1,35 Volt

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  • Kapazität: 64 GB
  • Timings: CL16 18-18-36
  • Module: 4 Stück
  • Standard: DDR4-3333 (PC4-26600)
  • Spannung: 1,35 Volt

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Artikel-Nr.: 62765688

Arbeitsspeicher DIMM 64 GB DDR4-3333 Quad-Kit

Das Corsair CMD64GX4M4B3333C16 ist ein Kit aus vier 16-GB-DDR4-3333-Speichermodulen (PC4-26600) aus der Dominator Platinum Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 64 GB. Die Module unterstützen Timings von 16-18-18-36 bei 3333 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Die Dominator Platinum Serie wurde speziell für eine anspruchsvolle Nutzung mit Blick auf das Übertakten entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper aus Aluminium mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit.

Gewicht in kg: 0,725
Produkttyp: Arbeitsspeicher
Hersteller: Corsair
Marke: Corsair
Modellbezeichnung: CMD64GX4M4B3333C16
Serie: Dominator Platinum
Bauform: DIMM
Kapazität: 65.536 MB
Typ: SDRAM-DDR4
Anschluss: 288-Pin
Spannung: 1,35 V
Standard: DDR4-3333 (PC4-26600)
Hersteller-Artikelnummer: CMD64GX4M4B3333C16
Weitere Infos: DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Beschreibung - Serie: Dominator Platinum
Speicher Allgemein - Anzahl Module: 4
Speicher Allgemein - Physikalischer Takt: 1.666 MHz
Speicher Allgemein - Speicherspannung bis: 1,35 V
Speicher Allgemein - Speicherspannung von: 1,35 V
Speicher Features - XMP: Ja
Speicher Features - XMP-Version: 2.0
Speicher Timing - tCL (CAS Latency): 16.0
Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time): 36.0
Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay): 18
Speicher Timing - tRP (RAS Precharge Time): 18
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