Corsair Arbeitsspeicher »DIMM 16GB DDR-4 2666 Quad-Kit«
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  • Kapazität: 16 GB
  • Timings: CL16 18-18-35
  • Module: 4 Stück
  • Standard: DDR4-2666 (PC4-21300)
  • Spannung: 1,2 Volt

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Artikel-Nr.: 72242494

Arbeitsspeicher DIMM 16GB DDR-4 2666 Quad-Kit

Das Corsair CMK16GX4M4A2666C16B ist ein Quad-Kit aus 4-GB-DDR4-2666-Speichermodulen (PC4-21300) aus der Vengeance LPX Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen Timings von 16-18-18-35 bei 2666 MHz und benötigen 1,2 V Spannung. Die Vengeance LPX Serie wurde speziell für eine absolut solide Leistung auch bei anspruchsvollster Nutzung mit Blick auf Power User entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit, auch wenn die anspruchsvollsten Anwendungen laufen.

Produkttyp: Arbeitsspeicher
Hersteller: Corsair
Marke: Corsair
Farbe: blau
Modellbezeichnung: CMK16GX4M4A2666C16B
Serie: Vengeance LPX
Bauform: DIMM
Kapazität: 16.384 MB
Typ: SDRAM-DDR4
Anschluss: 288-Pin
Spannung: 1,2 V
Standard: DDR4-2666 (PC4-21300)
Hersteller-Artikelnummer: CMK16GX4M4A2666C16B
Weitere Infos: DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturt.echniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability"
Beschreibung - Serie: Vengeance LPX
Speicher Allgemein - Anzahl Module: 4
Speicher Allgemein - Physikalischer Takt: 1.333 MHz
Speicher Allgemein - Speicherspannung bis: 1,2 V
Speicher Allgemein - Speicherspannung von: 1,2 V
Speicher Features - XMP: Ja
Speicher Features - XMP-Version: 2.0
Speicher Timing - tCL (CAS Latency): 16.0
Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time): 35.0
Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay): 18
Speicher Timing - tRP (RAS Precharge Time): 18
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